图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 系列 | BSC0911 |
| 封装/外壳 | PG-TISON - 8 |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 正向跨导 - 闵 | 77 S, 130 S |
| 栅极电荷Qg | 3 nC, 8.8 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns, 25 ns |
| 零件号别名 | SP000934746 |
| 上升时间 | 2.8 ns, 5.4 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 2.2 ns, 4 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 25 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V, 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V, 1.6 V |
| 宽度 | 5.15 mm |
| Qg - Gate Charge | 3 nC, 8.8 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V, +/- 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A, 40 A |
| 长度 | 5.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.7 mOhms, 1.3 mOhms |
| 身高 | 1.27 mm |
| 典型导通延迟时间 | 3.3 ns, 3.8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 技术 | Si |
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